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簡(jiǎn)要描述:nidec壓力開(kāi)關(guān)PS20當(dāng)少量的Ⅲ族加到Ⅳ族中時(shí),少了一個(gè)電子,所缺少的空穴稱為空穴。當(dāng)在此狀態(tài)下施加電壓時(shí),附近的電子會(huì)移動(dòng)到該空穴。此外,電子的這種運(yùn)動(dòng)會(huì)在別處產(chǎn)生空穴。隨著這種重復(fù),電子似乎穩(wěn)定地向負(fù)極移動(dòng)。因此,當(dāng)施加能量時(shí),它會(huì)被吸引到+極并有電流流
品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子,綜合 |
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nidec壓力開(kāi)關(guān)PS20
nidec壓力開(kāi)關(guān)PS20
當(dāng)少量的Ⅲ族加到Ⅳ族中時(shí),少了一個(gè)電子,所缺少的空穴稱為空穴。當(dāng)在此狀態(tài)下施加電壓時(shí),附近的電子會(huì)移動(dòng)到該空穴。此外,電子的這種運(yùn)動(dòng)會(huì)在別處產(chǎn)生空穴。隨著這種重復(fù),電子似乎穩(wěn)定地向負(fù)極移動(dòng)。因此,當(dāng)施加能量時(shí),它會(huì)被吸引到+極并有電流流
移動(dòng)。相反,陶瓷、橡膠和玻璃是具有大禁帶的材料的例子。由于電子不能移動(dòng),所以有許多被稱為絕緣體的東西不允許電流流動(dòng)。
另一方面,在半導(dǎo)體中,如果禁帶比金屬的禁帶寬但比絕緣體的禁帶小,則通過(guò)向電子施加熱和電壓等能量,電流就會(huì)流動(dòng)。因此,通過(guò)有意地將雜質(zhì)混入半導(dǎo)體本身,可以改變電子和(原子)空位的流動(dòng)并控制電性能。半導(dǎo)體根據(jù)添加的雜質(zhì)分為n型和p型。的區(qū)別,用專業(yè)術(shù)語(yǔ)來(lái)說(shuō)就是“禁帶(bandgap)"能量寬度的區(qū)別。電子所占據(jù)的最高能帶“(價(jià)帶)"與低能帶“(導(dǎo)帶)"底部之間的能帶稱為
n型半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體周期表中Ⅳ族元素(硅、鍺Ge等)中微量的Ⅴ族(磷P、砷As、銻Sb等)(僅由添加硅Si)元素
適用介質(zhì) | 非腐蝕性氣體 |
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指導(dǎo)方法 | 表壓 |
額定壓力范圍 | 0 至 -100, -100 至 300kPa |
電源 | 10.8 至 30VDC |
輸出 | 1路NPN/PNP集電極開(kāi)路輸出 |
輸出精度 (% FS) | ±3 |
接頭形狀 | 2-M5內(nèi)螺紋,M5外螺紋 |